高純度な単一カーボンナノチューブの製造法を改革！

東京都公立大学法人

東京都八王子市南大沢１－１

この技術でできること

再現性と高純度を両立した単一カーボンナノチューブの製造方法を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、単一カーボンナノチューブ（SWCNT）の製造方法について説明しています。従来のゲルクロマトグラフィー分離法では、高純度な単一カイラリティのSWCNTを効率的に得ることができていましたが、半導体と金属を完全に分離することが困難で、純度が十分でなかったり、同じ条件で再現性が確保できない問題がありました。本発明は、水素イオン濃度の微妙な調整により、これらの問題を解決します。具体的には、大気中の二酸化炭素が分散液・溶出液の水素イオン濃度に大きく影響を及ぼすことを利用し、pHの調整により、金属型と半導体型との精密な分離を可能にします。これにより、再現性が良く、高純度なSWCNTの製造が可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 ナノテクノロジー化学工業半導体製造

高純度な単一カーボンナノチューブの製造

本特許の製造方法を利用することで、高純度な単一カーボンナノチューブを製造することが可能です。これにより、SWCNTの応用範囲が広がり、新たな電子デバイスの開発や、既存デバイスの性能向上が期待できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2017-037805
発明の名称: 単一カーボンナノチューブの製造方法
出願人／権利者: 東京都公立大学法人
住所: 東京都八王子市南大沢１－１
公開番号: 特開2018-140919
登録番号: 特許第6958777号

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