高効率で低コストな太陽電池製造への革新的なアプローチ

国立大学法人豊橋技術科学大学

愛知県豊橋市天伯町雲雀ケ丘１－１

この技術でできること

エピタキシャルリフトオフ法を用いた薄膜太陽電池の製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、半導体基板としてSi基板を用い、GaP緩衝層、A1PN犠牲層、そして混韻層からなる受光層を特徴とする薄膜太陽電池の製造方法を提案します。犠牲層のN元素の混和晶比は1-5%であることが特徴となっています。これにより、半導体基板が高価であるという太陽電池の大規模発電用途における課題を解決します。エピタキシャルリフトオフ法とは、半導体基板上に結晶成長した薄膜半導体層を半導体基板から分離する方法であり、これにより安価な太陽電池素子の製造が可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 太陽エネルギー半導体製造電力供給

大規模太陽電池ファームのコスト削減

本特許の技術を用いることで、大規模な太陽電池ファームの設置コストを大幅に削減できます。特に土地コストが高い地域では、薄膜太陽電池の導入により大規模な太陽電池の設置が可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2017-033467
発明の名称: 希薄窒化物犠牲層を用いた化合物半導体薄膜の製造方法
出願人／権利者: 国立大学法人豊橋技術科学大学
住所: 愛知県豊橋市天伯町雲雀ケ丘１－１
公開番号: 特開2018-138501
登録番号: 特許第6923900号

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