高性能な薄膜デバイスの新時代

日本放送協会

この技術でできること

高キャリア移動度を持つ酸化物半導体を活用した薄膜デバイスの開発

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、酸化物半導体を用いた薄膜デバイスに関する革新的な技術を提供します。このデバイスは、第1と第2の酸化物半導体膜が密接配置され、コート層がSiNxを含み、酸化物半導体膜中でドナーまたはアクセプタとなり得る原子または分子が水素であることを特徴とします。また、ソース/ドレイン電極部を構成するソース電極とドレイン電極の配置、酸化物半導体膜の組成、および比率も特定の条件に基づいています。この技術は、大型・高解像度・高速駆動が要求される次世代ディスプレイや、耐熱性の低い樹脂基板等への適用が期待されています。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 ディスプレイ製造業半導体業界高性能素材産業

次世代の高性能ディスプレイ開発

本技術を用いて、大型で高解像度・高速駆動が可能な次世代ディスプレイを開発することが可能です。これにより、より高品質な映像体験を提供する新製品を市場に投入することができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2017-230118
発明の名称: 薄膜デバイス
出願人／権利者: 日本放送協会
公開番号: 特開2018-137424
登録番号: 特許第7060367号

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