高性能な薄膜デバイス、未来のエレクトロニクスをリード

日本放送協会

この技術でできること

高性能な酸化物半導体膜を用いた薄膜デバイスの特許情報

相談したいこと

技術の特徴

本特許では、酸化物半導体膜を使用した薄膜デバイスに関する技術が展開されています。このデバイスは、エッチストップ層という特殊な層を有し、これが特定の基準値以上のS i Nxを含む第1のエッチストップ層と、特定の基準値未満のS i Nxを含む第2のエッチストップ層から成り立っています。また、第1のエッチストップ層は水素の含有量が特定の基準値以下であることが特徴です。さらに、このデバイスは、酸化物半導体膜がソース/ドレイン電極部を構成するソース電極側とドレイン電極側の2つの領域に各々対応するように分割されています。これにより、高いキャリア移動度と大きな光学バンドギャップを持ち、大型・高解像度・高速駆動が要求される次世代ディスプレイや、耐熱性の低い樹脂基板等への適用も可能となります。

AIによる特許活用案

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次世代の大型高解像度ディスプレイの開発

高いキャリア移動度と大きな光学バンドギャップを持つこの薄膜デバイスは、大型・高解像度・高速駆動が要求される次世代ディスプレイの開発に活用できます。耐熱性の低い樹脂基板等への適用も可能となり、新たなディスプレイの開発に寄与することが期待できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2017-230117
発明の名称: 薄膜デバイス
出願人／権利者: 日本放送協会
公開番号: 特開2018-137423
登録番号: 特許第7060366号

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