革新的な電子デバイスを実現する、高性能な薄膜トランジスタ

日本放送協会

この技術でできること

本特許は、電界効果移動度が高く、電気的特性の安定性を保持した薄膜トランジスタを提供します。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、主成分としてZn- O- Nを含む半導体を活性層に用いる薄膜トランジスタにおいて、高い電界効果移動度を保持しつつ、電気的特性の安定性を向上させる技術を提供します。具体的には、亜鉛、酸素、窒素、及びシリコンを含む半導体層と、その半導体層の第1面に配設されるソースとドレイン、そしてゲート絶縁膜を介して半導体層に接続されるゲートを含む薄膜トランジスタを提供します。この半導体層に含まれるシリコンの割合は、0.3 atomic%以上5 atomic%以下であることが特徴です。これにより、大面積・高精細のディスプレイ等の電子デバイスにおける薄膜トランジスタの性能向上と安定性を実現します。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子部品製造業ディスプレイ製造業半導体製造業

高性能ディスプレイの開発

本特許の技術を活用し、高い電界効果移動度と電気的特性の安定性を持つ薄膜トランジスタを用いたディスプレイを開発することが可能です。これにより、消費者に対して高解像度な映像体験を提供できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2017-025364
発明の名称: 薄膜トランジスタ
出願人／権利者: 日本放送協会
公開番号: 特開2018-133418
登録番号: 特許第6893091号

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