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導電性と磁性に優れたナノリボンの新しい世界

東京都公立大学法人

東京都八王子市南大沢1-1

この技術でできること

高い導電性と磁性を持つ独自のナノリボンを提供する革新的な技術

技術の特徴

本発明は、従来のグラフェン系のナノリボンが十分な導電性や磁性を発揮できない問題を解決し、導電性や磁性に優れた新しいナノリボンを提供します。また、本発明は、乱移金属化合物からなるナノリボン及びその製造方法の開発を実現しました。本発明の特徴として、MoSの結晶を作製し、この結晶の端を成長の起点と利用することでナノリボンを製造できます。これにより、厚さが0.6~20nmであり、幅が1~1000nmのナノリボンを製造できます。これらのナノリボンは、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンタル、レニウム、又はクロムなどの金属元素と、硫黄、セレン、テルルなどのカルコゲン元素から構成されます。

関連キーワード

導電性磁性ナノリボン乱移金属化合物製造方法

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高性能電子デバイスの製造

本発明のナノリボンは、その高い導電性と磁性により、高性能な電子デバイスの製造に利用することができます。これにより、より高速で効率的な電子デバイスの開発が可能になります。

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

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権利概要

出願番号
特願2017-018312
発明の名称
ナノリボンの製造方法
出願人/権利者
東京都公立大学法人
住所
東京都八王子市南大沢1-1
公開番号
特開2018-123039
登録番号
特許第7004960号
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