光デバイスの新時代：広帯域化と精密化を両立

国立大学法人　和歌山大学

和歌山県和歌山市栄谷９３０

この技術でできること

本特許は、広帯域化可能な量子構造を持つ半導体薄膜を用いた光デバイス及びその製造方法について説明しています。

相談したいこと

技術の特徴

従来の半導体光デバイスは、量子井戸を発光層として使用していましたが、本特許では量子井戸よりも広帯域化が可能な新規な量子構造を使用しています。この新規な量子構造は、半導体薄膜が臨界膜厚未満で、3次元構造の界面を有します。半導体薄膜の界面を3次元構造とすることで、薄膜の膜厚が面内でばらつきを持つため、発光波長または吸収波長が分布します。その結果、発光または光吸収が広帯域化します。また、本特許では、製造方法も具体的に説明しており、成長温度、表面粗さ、中心波長などを詳細に制御しています。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業光電子産業通信業

次世代の光通信システムの開発

本特許の光デバイスの製造方法は、高速で大容量のデータ伝送が可能な光通信システムの開発に活用できます。広帯域化により、一つの光デバイスで複数の信号を同時に送受信することが可能になり、通信の効率化を実現します。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2017-002562
発明の名称: 光デバイスの製造方法
出願人／権利者: 国立大学法人　和歌山大学
住所: 和歌山県和歌山市栄谷９３０
公開番号: 特開2018-113324
登録番号: 特許第6916510号

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