革新的なIII族窒化物半導体基板製造技術

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

サファイア基板と熱処理を用いた高品質の半導体層の生成技術

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、特定の角度で傾斜した面を主面として有するサファイア基板を準備し、その上に窒化処理や熱処理を行うことで半導体層を形成する技術に関するものです。特に、熱処理の温度やバッファ層形成の成長温度を特定の範囲内に制御することで、III族窒化物半導体層の品質と性能を向上させています。さらに、主面の方向や傾斜角度を調整することで、半導体層の成長方向を制御し、製品の性能を最適化します。この技術は、半導体製品の品質や性能、生産効率を大幅に向上させる可能性があります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業IT業界

高品質な半導体製品の生産

この技術を用いることで、熱処理の温度やバッファ層形成の成長温度を適切に制御し、III族窒化物半導体層の品質と性能を最適化することが可能です。これにより、高品質な半導体製品を生産し、市場での競争力を向上させることができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2017-001758
発明の名称: ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2018-113297
登録番号: 特許第6232150号

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