量子効率向上の新解決、次世代のエックス線技術を搭載した半導体基板

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

エックス線で測定された半値幅の差が100arcsec以下のIII族窒化物半導体基板を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、エックス線の入射方向と主面のなす角度を走査して測定した半値幅と、裏面に対してエックス線を導入し測定した半値幅との差が100arcsec以下のIII族窒化物半導体基板の製造技術に関するものです。半導体層の膜厚は1m以上であり、熱処理工程、バッファ層形成工程、成長工程などを経て形成されます。この技術は、半導体デバイスの内部量子効率を向上させる目的で開発されました。特に、光デバイスや電子デバイスなどにおいて、基板の品質や性能を向上させることが可能です。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子機器製造業光学機器製造業

半導体デバイスの性能向上

本特許の技術を活用することで、半導体デバイスの内部量子効率を向上させることが可能です。これにより、デバイスの性能を大幅に向上させることが期待できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2016-246908
発明の名称: ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2018-101694
登録番号: 特許第6266742号

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