革新的なIII族窒化物半導体基板の製造方法

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

クラック発生を防ぐ半導体基板の製造技術

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、クラック発生を抑制したIII族窒化物半導体基板の製造方法に関するものです。サファイア基板の主面上にIII族窒化物半導体層を形成し、その上にさらにIII族窒化物半導体をエピタキシャル成長させることで、品質の高い半導体基板を製造します。この製造方法は、サファイア基板と半導体層の間の角度を特定の範囲内に設定することで、基板と半導体層間の応力を緩和し、クラックの発生を防止します。また、特定の成長温度を維持することで品質の一貫性を保証します。この技術は、半導体デバイスの製造における品質改善とコスト削減に寄与します。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業光電子デバイス製造業

クラックレスな半導体デバイスの製造

本特許の製造方法を活用することで、内部クラックが生じにくい半導体デバイスを製造することが可能になります。これにより、デバイスの信頼性と耐久性が向上し、製品の品質が一貫して保証されます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2016-245357
発明の名称: ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2018-100189
登録番号: 特許第6306677号

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