電気と磁気のハイブリッド記憶素子への革新的アプローチ

独立行政法人国立高等専門学校機構

この技術でできること

導電性高分子化合物層と圧電性強誘電体の組み合わせによる、新種の複合素子の製造方法を特許化。

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、誘電体および導電性高分子化合物が組み合わされることで構成されている複合素子に関するものです。磁気エネルギーおよび電気エネルギーの変換が可能であるマルチフェロイック物質の考え方を応用し、記憶と伝搬の機能を兼ね備えた素子を提供します。これにより、情報の記憶のみならず伝搬機能も有し、かつ、記録密度を向上するための書き込みおよび読み取りの分解能の向上を図ることが可能となります。製造方法は、基板の上にイオンを吸着させ、化学的に導電性高分子化合物を析出させることにより導電性高分子化合物層を形成し、その各端面に圧電性強誘電体を接合するものです。

AIによる特許活用案

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高性能記憶素子の開発

本特許の製造方法を用いて、高記録密度かつ省電力性能を有する記憶素子を開発することができます。これにより、大容量のデータを効率的に保存し、高速アクセスが可能な新たなデータストレージデバイスの可能性が広がります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2016-224849
発明の名称: 複合素子の製造方法
出願人／権利者: 独立行政法人国立高等専門学校機構
住所: 独立行政法人国立高等専門学校機構
公開番号: 特開2018-081735
登録番号: 特許第6757973号

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