革新的な半導体技術を利用したダイヤモンド半導体装置
国立研究開発法人物質・材料研究機構
茨城県つくば市千現1-2-1
この技術でできること
この特許はダイヤモンド半導体装置の製造方法に関するものであり、ロジック装置における応用も記載されています。
相談したいこと
技術の特徴
本特許は、ダイヤモンド半導体装置の製造方法について詳細に説明しています。この製造方法では、ダイヤモンド半導体基板上に水素終端ダイヤモンド半導体層を形成し、その上に複数のゲートパターンと絶縁膜パターンを形成します。特に、絶縁膜は原子層成長法とスパッタリング法により形成され、さらに金属からなるゲートメタルパターンと配線層を形成します。その後、熱処理を行うことで、エンハンスメントモード動作のMOSトランジスタとデプリーションモード動作のMOSトランジスタを形成します。また、本特許は、このダイヤモンド半導体装置を用いたロジック装置の製造方法についても説明しており、そのロジック装置はNORおよびNOロジック動作をすることが特徴です。
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AIによる特許活用案
高周波・高熱限界デバイスへの応用
ダイヤモンド半導体装置は、高い熱伝導率とキャリア移動度を持つため、大きな電力、高周波、高い熱限界、及び高周波における小さな電力損失を示す電子デバイスの製造に適しています。
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参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
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権利概要
- 出願番号
- 特願2016-220840
- 発明の名称
- ダイヤモンド半導体装置、それを用いたロジック装置、及びダイヤモンド半導体装置の製造方法
- 出願人/権利者
- 国立研究開発法人物質・材料研究機構
- 住所
- 茨城県つくば市千現1-2-1
- 公開番号
- 特開2018-078254
- 登録番号
- 特許第6783463号