革新的な電荷制御で省エネルギーを実現する半導体装置

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

電荷の移動・分離・再結合を制御する半導体装置で、消費電力を大幅に削減します。

相談したいこと

技術の特徴

本発明の半導体装置は、基板、絶縁膜、p型有機半導体膜、n型有機半導体膜、第1電極、第2電極を備え、p型有機半導体膜とn型有機半導体膜の一部が重なり、平坦なへテロ界面を形成します。このへテロ界面における電荷の移動・分離・再結合の制御性が向上し、消費電力の大幅な削減が可能となります。さらに、絶縁膜とp型有機半導体膜との間、およびp型有機半導体膜とn型有機半導体膜との間に樹脂膜を備えています。これにより、装置の安定性と耐久性が向上します。また、絶縁膜の誘電率が3.9以上2.5以下であることも特徴となっており、装置の性能を一層向上させています。

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省エネルギーな電子機器の開発

本発明の半導体装置を採用することで、消費電力の大幅な削減が可能となります。これにより、バッテリー駆動の電子機器の稼働時間を大幅に延長することが可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2016-167281
発明の名称: 半導体装置
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2018-037466
登録番号: 特許第6786100号

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