革新的な低転位密度半導体基板の製造法

国立大学法人山口大学

山口県山口市吉田１６７７−１

この技術でできること

高耐圧及び大電流用途でのGaN系パワーデバイスの製造に適したパワーデバイス用素材を提供する新しい製造方法。

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、パワーデバイス用素材として好適な低転位密度の大面積の素材を製造する方法を提供します。具体的には、間隔が10μm以上100μm以下の三角形ファセット構造を持つ導体基板の製造方法を示しています。その三角ファセット構造の定められた方向に対する幅の比率は5以上50以下であり、半導体はGaNであることが特徴です。この方法は、基板本体上に設けられたマスクを有し、面内においてマスクと基板本体が交互に配設され、三角ファセット構造を形成します。これにより、低転位密度の領域を広範に作製することが可能となり、結果としてパワーデバイスの性能を向上させることが期待されます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業電子機器製造業自動車産業

高性能パワーデバイスの製造

この特許の製造方法を用いることで、低転位密度の大面積のGaN半導体基板を製造できます。これにより、高耐圧及び大電流用途のパワーデバイスを高品質に製造することが可能になります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2016-164805
発明の名称: 半導体基板の製造方法
出願人／権利者: 国立大学法人山口大学
住所: 山口県山口市吉田１６７７−１
公開番号: 特開2018-030764
登録番号: 特許第6984856号

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