革新的な半導体基板製造技術

国立大学法人山口大学

山口県山口市吉田１６７７−１

この技術でできること

低転位密度の大面積のガリウム窒化物(GaN)半導体基板を製造するための下地基板に関する特許

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、高耐圧及び大電流用途でのガリウム窒化物(GaN)系パワーデバイスの製造に必要な、低転位密度の大面積の半導体基板を製造するための下地基板の提供を目的としています。具体的には、基板本体とその上に設けられたマスクを有し、マスクの開口部から半導体が結晶成長することにより、断面形状が三角形のファセット構造を形成します。その後、該ファセット構造を埋め込むように第1厚膜成長層を形成し、その結果、転位が集中し、断面形状が三角形のファセット構造が得られます。この革新的な技術は、半導体製造業界における新たな可能性を示しています。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造電子部品製造自動車製造

高性能パワーデバイスの製造

この技術を活用することで、高耐圧及び大電流用途のガリウム窒化物(GaN)系パワーデバイスの製造が可能となります。従来よりも低転位密度の大面積の半導体基板を製造することで、製品の信頼性と性能が向上し、より効率的なパワーデバイスを提供することが可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2016-164800
発明の名称: 下地基板
出願人／権利者: 国立大学法人山口大学
住所: 山口県山口市吉田１６７７−１
公開番号: 特開2018-030763
登録番号: 特許第6984855号

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