革新的な金属化合物結晶性膜製造技術

国立大学法人東京工業大学

この技術でできること

低コストで、面内方位の分散が小さい高品質の金属化合物結晶性膜を製造する方法を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、異方性を持ち、表面が非晶質の基板上に金属膜を設け、その後、残留酸素濃度が1ppm以下の不活性ガス雰囲気中で該基板上の金属膜を金属の融点以上に昇温させた後、アンモニア雰囲気中でアニールすることにより、面内結晶方位の分散が30度以下の擬単結晶である金属酸化物結晶性膜を得る方法を提供します。また、この製造方法は、金属がInであり、金属窒化物がInNまたはGaNである場合にも適用可能です。さらに、不活性ガスとしては窒素、アルゴン、ヘリウム、またはネオンガスが使用できます。これにより、低コストで高品質な金属化合物結晶性膜を製造でき、その応用範囲は広いと言えます。

AIによる特許活用案

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次世代半導体素材の開発

本技術を活用することで、面内結晶方位の分散が小さい高品質な金属化合物結晶性膜を低コストで製造することができます。これにより、次世代の半導体素材の開発に貢献することが期待できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2016-154759
発明の名称: 金属化合物結晶性膜およびその製造方法
出願人／権利者: 国立大学法人東京工業大学
住所: 国立大学法人東京工業大学
公開番号: 特開2018-020946
登録番号: 特許第6945215号

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