結晶成長層界面の評価を進化させる

国立大学法人福井大学

福井県福井市文京３－９－１

この技術でできること

本特許は、半導体結晶成長層の界面を顕微光応答法によって評価する方法及びその装置に関するものです。

相談したいこと

技術の特徴

本特許では、導電性半導体で形成された支持基板の表面に結晶成長させた半導体結晶成長層の界面を顕微光応答法によって評価するための装置が記載されています。この装置は、オーミック電極とショットキー電極を半導体結晶成長層の表面と支持基板の裏面に形成し、これらの電極を含む2つの回路を選択的に切り換える切換手段を有しています。切換手段によって選択された回路に流れる光電流値を測定することにより、界面の評価が可能になります。更に、異なる光子エネルギーのレーザー光を界面に照射し、その光電流値を測定することで、光電子収率と光子エネルギーとの関係を示すPRスペクトルを求めることができます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業研究開発精密機器製造業

半導体製造プロセスの品質管理

本特許の技術を半導体製造プロセスに導入することで、製造過程での結晶成長層の状態をリアルタイムで評価することが可能になります。これにより、製造プロセスの品質管理がより精密に行えるようになり、良品率の向上に寄与します。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2016-145940
発明の名称: 顕微光応答法による結晶成長層の界面評価方法
出願人／権利者: 国立大学法人福井大学
住所: 福井県福井市文京３－９－１
公開番号: 特開2018-018869
登録番号: 特許第6744525号

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