高性能パワーデバイスの新たな可能性、ホウ素ドープダイヤモンド

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

高濃度ホウ素を含むが低抵抗値を持つ、ホウ素ドープダイヤモンドの製造技術

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、高濃度のホウ素を含みながらも電気抵抗値が低いホウ素ドープダイヤモンドに関するものです。ダイヤモンドは優れた物性を持つため、パワーデバイス材料としての応用が期待されています。しかし、ダイヤモンドをパワーデバイス材料に応用するためには、ホウ素などの不純物を高濃度でドープし、低抵抗化する必要があります。本発明では、高濃度でホウ素をドープしながらも抵抗値が低いホウ素ドープダイヤモンドを製造する方法を提供しています。これにより、高温や極限環境下でも動作する高性能なパワーデバイスの製造が可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業パワーデバイス製造業

高性能パワーデバイスの製造

ダイヤモンドの優れた物性と低抵抗値を活かした高性能なパワーデバイスの製造が可能です。これにより、高温や極限環境下でも動作する堅牢なパワーデバイスを製造できます。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2016-141306
発明の名称: ホウ素ドープダイヤモンド
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2018-012612
登録番号: 特許第7023477号

登録情報の修正申請