高性能・低抵抗の不純物ドープダイヤモンド

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

高濃度の不純物を含みながらも電気抵抗値が非常に低い、新世代の不純物ドープダイヤモンド。

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、不純物を高濃度で含むダイヤモンドを提供します。特に、不純物濃度が5X10?Vcm以上、1X1022cm以下で、結晶格子歪みが100ppm以内であることが特徴です。その結果、高濃度の不純物を含んでいるにも拘わらず、電気抵抗値が非常に低い新世代の不純物ドープダイヤモンドを提供します。また、この不純物ドープダイヤモンドは、熱フィラメントCVD法により製造可能で、電子デバイスや基板の上に形成することが可能です。これにより、高性能で耐久性のある電子デバイスの製造が可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子機器製造業半導体製造業パワーデバイス製造業

高性能電子デバイスの製造

本発明の不純物ドープダイヤモンドは、電子デバイスの製造に利用することができます。低抵抗であるため、高性能な電子デバイスを製造することが可能です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2016-141305
発明の名称: 不純物ドープダイヤモンド
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2018-012611
登録番号: 特許第6845497号

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