次世代電子デバイスの革新 - トリプルゲートH-ダイヤモンドMISFET

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

高い性能と省エネルギーを実現するトリプルゲートH-ダイヤモンドMISFETの製造方法とその構造

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、半導体ダイヤモンドの特性を活用した、高電力、高周波、高温低電力損失及び省エネルギーの電子デバイス、トリプルゲートH-ダイヤモンドMISFETの製造方法とその構造について述べています。製造方法はH-ダイヤモンド層を表面に有するフィンパターンを用い、その一方及び他方の側にソース電極及びドレイン電極の導電体を形成するステップが含まれます。また、フィンパターンは複数の互いに平行なフィンを有しています。トリプルゲートH-ダイヤモンドMISFETの構造は、ダイヤモンド基板、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極から構成され、ダイヤモンド基板上にはフィンパターンが形成されています。これらの特性により、ダイヤモンドに基づいた電子デバイスは最も大きな電力-周波数積、最も高い熱限界、及び高周波における最小の電力損失を示します。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体業界電子機器製造業エネルギー業界

次世代のエネルギーエフィシエントな電子デバイスの開発

本特許の製造方法と構造を活用して、省エネルギーかつ高性能な電子デバイスを開発します。これにより、エネルギーコストの削減と性能向上を同時に実現することが可能です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2016-112611
発明の名称: トリプルゲートＨ－ダイヤモンドＭＩＳＦＥＴ及びその製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2017-220512
登録番号: 特許第6713167号

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