安定した高温動作を実現するSiC相補型接合型電界効果トランジスタ

国立大学法人京都大学

京都府京都市左京区吉田本町

この技術でできること

高温で安定に動作し、消費電力が極めて小さく、作製が容易なSiC相補型接合型電界効果トランジスタの技術特許

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、高温で安定に動作すること、消費電力が非常に小さいこと、そして作製が容易であることを特徴とするSiC相補型接合型電界効果トランジスタの技術に関するものです。具体的には、ノーマリオフ型のSiC接合型電界効果トランジスタと、その相補型の電界効果トランジスタを提供します。これらのトランジスタは、それぞれnチャネルとpチャネルで構成され、半絶縁性のSiC基板内において、互いに離間して形成されています。これにより、高温でも安定した動作が可能となり、消費電力が大幅に削減されます。さらに、製造プロセスも容易であるため、高性能な半導体デバイスの製造コストを抑えることが可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子機器製造業自動車業界

高温環境下でのデバイスの信頼性向上

高温での安定した動作が確認されているため、自動車や航空機のエンジン制御など、高温環境下での使用が求められる様々なデバイスに対して、信頼性の向上を図ることができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2016-106386
発明の名称: ＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ及びＳｉＣ相補型接合型電界効果トランジスタ
出願人／権利者: 国立大学法人京都大学
住所: 京都府京都市左京区吉田本町
公開番号: 特開2017-212397
登録番号: 特許第6718612号

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