高性能な不揮発性メモリの新時代

日本放送協会

この技術でできること

抵抗値が変化する不揮発性記憶素子を活用した新しいメモリセル設計

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、抵抗値が電流供給により変化する不揮発性記憶素子を活用した新しいメモリセル設計を提供します。この設計は、メモリセルが不揮発性記憶素子と特定の端子間で接続されたダイオードまたは読出選択トランジスタを備え、その間の抵抗値が変化することを特徴とします。また、不揮発性記憶素子の第3の端子が、特定の端子との間に入力選択トランジスタまたは出力選択トランジスタを挟んで接続されることも特徴としています。さらに、メモリセルは列方向に配列され、行方向に隣り合う2行で回路を共有します。以上の技術により、高性能な不揮発性メモリの開発が可能となります。

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高性能メモリの開発

この特許を活用し、抵抗値が変化する不揮発性記憶素子を用いた高性能なメモリの開発が可能です。これにより、データの読み取りや書き込み速度を向上させ、省エネルギー化を実現することができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2016-099160
発明の名称: 不揮発性メモリおよびその駆動方法、ならびに記憶装置
出願人／権利者: 日本放送協会
公開番号: 特開2017-208151
登録番号: 特許第6854091号

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