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高性能なルテニウム成膜装置

国立大学法人茨城大学

茨城県日立市中成沢町4-12-1

この技術でできること

ルテニウム(Ru)を主成分とするRu層をスパッタリング法によって基板上に成膜する装置。

技術の特徴

本特許は、ルテニウム(Ru)を基材にスパッタリング法を用いて成膜する装置に関するものです。装置は、基板とRuを主成分とするスパッタリングターゲットを保持するチャンバ、基板ホルダ、カソード電極、直流電源、プラズマ補助手段を具備します。チャンバ内では、基板の温度を400度以下で制御しながら基板を保持します。また、カソード電極を負側として、基板ホルダとカソード電極との間にDC放電によってArをプラズマ化可能な直流電力が供給されます。さらに、スパッタリングターゲットに隣接して設けられたコイルが高周波電力を供給し、直流電力が印加されない場合でも高周波電力の印加によってArをプラズマ化可能なプラズマ補助手段が効果を発揮します。これにより、直流電力の供給と高周波電力の印加が同時に行われることで、効率良くルテニウムの成膜が可能となります。

関連キーワード

ルテニウム成膜装置スパッタリング法プラズマ化半導体

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ルテニウム成膜装置の製造

本特許に基づき、ルテニウム成膜装置を製造し市場に提供することで、半導体製造などの分野に貢献できます。この装置は、高精度で効率的なルテニウム成膜を可能にするため、関連業界からの需要が見込まれます。

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

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権利概要

出願番号
特願2016-086074
発明の名称
Ru成膜方法、Ru成膜装置
出願人/権利者
国立大学法人茨城大学
住所
茨城県日立市中成沢町4-12-1
公開番号
特開2017-193770
登録番号
特許第6799843号
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