分子レベルでの精密な検出を可能にするナノ構造物センサー

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

本特許は、ラマン散乱及び光信号を増強するナノ構造物を配置したアレイ型センサーとその検出方法について記述しています。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、複数のナノ構造物の配置、形状、サイズ、ギャップなどを特定の範囲内で制御し、これらのナノ構造物を用いて分子や粒子を検出する方法について述べています。具体的には、ナノ構造物が周期的に配置され、その配置の間隔や垂直方向の距離が特定の条件を満たすことで、分子や粒子の存在を検出します。さらに、このナノ構造物を利用したアレイ型センサーと、レーザー光源、位置決め機構、光学系、分光計測系を組み合わせて、分子や粒子の検出を行う測定装置についても述べられています。このアレイ型センサーは、ラマン散乱と光信号を増強する電磁場増強作用を持つナノ構造物を使用し、レーザーの電磁波を走査して分子のシグナルを個別に計測し識別します。

AIによる特許活用案

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高精度な医療診断ツールの開発

このナノ構造物を用いたアレイ型センサーは、分子レベルでの精密な検出が可能であるため、医療診断ツールとしての応用が期待されます。例えば、病気の早期発見や進行度の評価に役立てることができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2017-115920
発明の名称: 増強電磁場を用いたアレイ型センサーを使用した測定方法及び測定装置
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2017-191109
登録番号: 特許第6468572号

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