光電子デバイス向け窒化物半導体の効率的な製造法

国立大学法人秋田大学

秋田県秋田市手形学園町１－１

この技術でできること

基板上に窒化物半導体膜を効率的に形成する新たな製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、基板上に窒化物半導体膜を形成する製造方法に関して述べています。窒化ガリウム系III族窒化物半導体は、高効率の光電子デバイスなどに幅広く利用されてきました。本特許の製造方法は、特に窒化インジウムを含む合金に対しても対応可能で、結晶構造の設計において広い柔軟性を提供します。また、非晶質基板上に窒化物半導体薄膜を効率的に成長させるための手法を提供します。これにより、様々な用途への可能性がさらに高まります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業電子機器製造光通信技術

高効率の光電子デバイスの製造

本製造法を用いることで、高効率の光電子デバイスの生産が可能です。窒化ガリウム系III族窒化物半導体の製造が容易になるため、発光ダイオードやレーザーダイオードなどの製造コストを削減することが可能です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2017-012847
発明の名称: 窒化物半導体の製造方法
出願人／権利者: 国立大学法人秋田大学
住所: 秋田県秋田市手形学園町１－１
公開番号: 特開2018-121008
登録番号: 特許第7011278号

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