高集積化と効率性を実現した積層半導体素子
雫石 誠
この技術でできること
柔軟な形状選択と高集積化を可能にする積層半導体素子で、効率的な電子デバイスを実現します。
相談したいこと
技術の特徴
本特許は、半導体基板面をX-Y平面、半導体基板の厚さ方向をZ軸と定義し、X-Y平面上に集積回路形成した積層半導体素子に関するものです。円形形状の半導体素子をZ軸方向に積層し、その側面部が絶縁体で被覆されています。また、この絶縁体で被覆された側面部には受光窓を有する光電変換領域が放射状に形成されています。この設計により、半導体素子の実装面積当たりの集積度を高め、高集積化、高速駆動、低消費電力化を可能にしています。さらに、小型軽量化と形状選択の柔軟性も実現し、さまざまな応用が可能です。
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AIによる特許活用案
高速・高集積のデータストレージデバイス
この積層半導体素子は、高集積化と高速化を実現するため、データストレージデバイスの開発に活用できます。特に、大量のデータを高速に処理する必要があるデータセンターやクラウドストレージシステムに適用可能です。
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参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
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権利概要
- 出願番号
- 特願2017-118556
- 発明の名称
- 半導体素子
- 出願人/権利者
- 雫石 誠
- 公開番号
- 特開2017-168868
- 登録番号
- 特許第6343070号