次世代駆動回路の新たな可能性：高効率・安定化GaNパワーデバイス向け半導体スイッチ素子の駆動回路

国立大学法人　大分大学

大分県大分市大字旦野原７００

この技術でできること

本特許は、GaNパワーデバイスのような高速応答可能なスイッチデバイスを効率的かつ安定して駆動する半導体スイッチ素子の駆動回路に関する。

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、電圧の印加によって静電容量を変化させる可変容量素子と、少なくとも2個のスイッチ素子を直列に接続したハーフブリッジ回路、及び直流バイアスコンデンサやインダクタと可変容量コンデンサからなる直列回路を含む半導体スイッチ素子の駆動回路であり、これにより高周波スイッチングにおけるスイッチング損失の増大やゲート電圧のリンギング、誤動作、放射ノイズ等の問題が解消される。また、LC共振回路の共振周波数とスイッチ素子のスイッチング周波数を一致させることにより、半導体スイッチ素子の耐圧を超えず、且つ関値以下となる特定の関係で動作させることが可能となる。

AIによる特許活用案

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高効率なスイッチング電源の開発

本特許の技術を活用して、高周波スイッチングにより電源の負荷変動に対する高速応答やスイッチング損失の低減を実現し、その結果、高効率なスイッチング電源を開発することが可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2016-039041
発明の名称: 半導体スイッチ素子の駆動回路
出願人／権利者: 国立大学法人　大分大学
住所: 大分県大分市大字旦野原７００
公開番号: 特開2017-158013
登録番号: 特許第6754998号

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