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高効率銅成膜技術による配線形成方法

国立大学法人茨城大学

茨城県日立市中成沢町4-12-1

この技術でできること

高温と減圧環境下で銅蒸気を導電性表面に照射することにより銅を成膜し、配線を形成する方法

技術の特徴

本発明は、基板の少なくとも部分的に導電性とされた表面上に銅を成膜する方法を提供します。この方法では、基板の温度を250-350度に設定し、減圧状態下でヨウ化銅(I)蒸気を基板表面に照射します。さらに、ヨウ化銅(I)を含む固体原料を減圧状態下で300-400度に加熱してヨウ化銅(I)蒸気を生成します。この成膜方法を用いて銅配線を形成する工程を含む銅配線形成方法も提供します。これにより銅の成膜効率が向上し、配線の品質が改善されます。

関連キーワード

銅成膜配線形成ヨウ化銅(I)蒸気減圧状態高温

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高品質な半導体製造

本発明の銅成膜技術は、半導体製造のプロセスでの配線形成に活用できます。高温と減圧環境下での銅蒸気照射により、配線の品質と信頼性を向上させ、半導体のパフォーマンスを高めることが可能です。

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

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権利概要

出願番号
特願2016-035760
発明の名称
銅の成膜装置、銅の成膜方法、銅配線形成方法
出願人/権利者
国立大学法人茨城大学
住所
茨城県日立市中成沢町4-12-1
公開番号
特開2017-152628
登録番号
特許第6711645号
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