ダメージレスなエッチングを実現する新型薄膜トランジスタ
日本放送協会
この技術でできること
真空を必要とせず、大気圧下で製膜可能な薄膜トランジスタの製造方法
相談したいこと
技術の特徴
真空製膜法による酸化物半導体TFT（薄膜トランジスタ）の製造には限界があり、新しい成膜技術により形成される酸化物半導体TFTの開発が求められています。本特許は、その一例として塗布型酸化物半導体を用いる場合の薄膜トランジスタの製造方法を提供します。特に、塗布型酸化物半導体の上にソース・ドレイン電極層を形成し、エッチングストッパ層を設けずに、この電極層に特定のエッチャント液を用いたウエットエッチング処理を施すことにより、エッチングによるダメージが小さくなり、半導体特性の劣化が抑制されます。これにより、製造コストや環境負荷の問題を解決しつつ、大型ディスプレイの製造も可能となります。
関連キーワード
AIによる特許活用案
大型ディスプレイの製造
本技術は、100インチ以上の超大型ディスプレイの製造を可能にします。従来の真空製膜法では製造サイズに制限がありましたが、本技術ではその限界を超え、大型ディスプレイの需要に応えることができます。
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参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
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権利概要
- 出願番号
- 特願2016-033594
- 発明の名称
- 薄膜トランジスタの製造方法
- 出願人／権利者
- 日本放送協会
- 公開番号
- 特開2017-152540
- 登録番号
- 特許第6741439号