光強度を最適化する高消光比光変調器

国立研究開発法人情報通信研究機構

東京都小金井市貫井北町４－２－１

この技術でできること

高消光比を持つ光変調器におけるバイアス電圧調整により、高品質な光信号を維持する技術です。

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、光変調器のバイアス電圧を調整する方法を提供しています。特に、半波長電圧をViとしたとき、目標とする光強度以上のバイアス電圧を特定し、それを基準として光出力を最適化します。この調整方法により、光変調器は最適なバイアス電圧で動作し、光出力の品質を維持します。さらに、この方法は高消光比を有する光変調器において有用で、光信号品質を維持することができます。この技術は、レーダーシステム、通信ネットワーク、科学研究など、光変調技術が必要とされる各種の応用分野で利用可能です。

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この特許技術は、レーダーシステムにおいて、高精度な信号発生装置を用いて異物を検知するために使用できます。特に、ミリ波-テラヘルツ帯レーダーの信号源として用いられることで、信号の品質を維持し、検知精度を向上させることが可能です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2016-033572
発明の名称: 光信号発生方法及び光信号発生装置
出願人／権利者: 国立研究開発法人情報通信研究機構
住所: 東京都小金井市貫井北町４－２－１
公開番号: 特開2017-151267
登録番号: 特許第6674173号

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