革新的な半導体基板の製造法

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

III族窒化物半導体基板の製造方法において、特定のミラー指数を用いて半極性面を形成し、高品質な半導体基板を生産します。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、主面が特定のミラー指数で表され、mの指数がマイナスとなる半極性面を有するIII族窒化物半導体基板の製造方法に関するものです。この方法では、主面に複数の欠陥が存在し、欠陥の一部が線状に並んで欠陥列となっています。また、HVPE法を用いて、前記主面上に半導体を成長させることで、複数の欠陥が存在し、一部が線状に並んで欠陥列となるIII族窒化物半導体層を形成します。これにより、高品質で耐久性のある半導体基板の製造が可能となります。

AIによる特許活用案

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高品質な半導体基板の製造

本特許の製造法を用いれば、高品質な半導体基板の製造が可能となります。特に、欠陥の存在する半導体基板の製造において、欠陥の影響を最小限に抑えることができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2016-022090
発明の名称: ＩＩＩ族窒化物半導体基板及びＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2017-141120
登録番号: 特許第6663237号

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