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革新的な不揮発性メモリ: 高性能で耐久性に優れた記憶機能

日本放送協会

革新的な不揮発性メモリ: 高性能で耐久性に優れた記憶機能
掲載画像・日本放送協会

この技術でできること

抵抗値の変化により電流を供給する特許技術を持つ不揮発性メモリ

技術の特徴

本特許は、所定の大きさの電流を供給することにより、メモリセルの端子の少なくとも一方と第3の端子との間の抵抗値が変化する不揮発性記憶素子を備えた不揮発性メモリを提供します。メモリセルは、不揮発性記憶素子に並列に接続した選択トランジスタと、不揮発性記憶素子の第3の端子に接続した読出用選択トランジスタを含みます。これらのメモリセルは、行と列の2次元配列で構成されており、行方向に配列されたメモリセルは直列に接続されています。また、各メモリセルは、選択トランジスタのゲートに入力するワード線を備えています。これにより、高性能で耐久性に優れた記憶機能を実現します。

関連キーワード

不揮発性メモリ電流供給抵抗値変化

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本特許技術は、高性能コンピュータの開発に利用できます。抵抗値が変化する不揮発性メモリを使用することで、データの高速な読み書きと長期保存が可能になります。

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

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権利概要

出願番号
特願2016-007430
発明の名称
不揮発性メモリおよびその駆動方法、ならびに記憶装置
出願人/権利者
日本放送協会
公開番号
特開2017-130245
登録番号
特許第6694275号
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