高度に精度の半導体抵抗異常検出装置

学校法人　関西大学

大阪府吹田市山手町３－３－３５

この技術でできること

抵抗素子の抵抗値を評価し、その平均値に対して所定範囲から外れる抵抗値の抵抗素子を抽出する半導体の抵抗異常検出装置。

相談したいこと

技術の特徴

本発明の半導体の抵抗異常検出装置は、半導体素子を構成する全ての抵抗素子の抵抗値を求め、その平均値に対して所定範囲から外れる抵抗値の抵抗素子を抽出して不良と評価します。さらに、配線V i aでの半不良を検出するためのアドレス指定可能なテストアレイ構造が採用されています。これは、測定効率を向上させるために二重入れ子アレイ構造になっており、それぞれの単位ブロックに対して2つのチェーンが配置されています。これにより、単位セルの半不良を効率的に検出することが可能です。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業電気機器製造業

半導体製造プロセスの品質管理

半導体製造プロセスでは、製品の品質管理が重要です。本技術を利用すれば、製造過程での抵抗異常を早期に検出し、その原因を特定することが可能となります。これにより、製品の不良率を大幅に削減することができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-247449
発明の名称: 半導体の抵抗異常検出装置
出願人／権利者: 学校法人　関西大学
住所: 大阪府吹田市山手町３－３－３５
公開番号: 特開2017-112310
登録番号: 特許第6702714号

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