高性能単結晶磁気抵抗素子の新時代へ

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

独特なCo基ホイスラー合金と特定の層構造を持つ単結晶磁気抵抗素子の製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、Co基ホイスラー合金を用いた独自の単結晶磁気抵抗素子の製造方法に関するものです。特に、強磁性層と絶縁体層の特定の層構造により、高い磁気抵抗比を実現しています。また、シリコン基板の自然酸化膜を除去し、基板温度を一定範囲で保つことで、下地層を成膜します。上部強磁性層の膜厚は0.5nm以上となっています。これらの工程によって、高い磁気抵抗比が得られる単結晶磁気抵抗素子を製造することが可能です。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子部品製造業情報通信業自動車産業

高性能メモリの開発

本特許の単結晶磁気抵抗素子は、その高い磁気抵抗比により、情報の高速読み取りと書き込みが可能です。これにより、高性能なメモリの開発に利用することが可能です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-237601
発明の名称: 単結晶磁気抵抗素子、その製造方法及びその使用方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2017-103419
登録番号: 特許第6754108号

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