高硬度半導体ウェハの効率的な加工を実現する装置

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

S iCといった高硬度の半導体ウェハを効率的に研磨、切断する加工装置の特許技術

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、半導体ウェハの加工装置に関し、特に人硬度が高く難加工材料であるS iCを研磨、切断する加工装置について述べています。従来の技術では、S iCの硬度が非常に高いため、それよりも硬度の高いダイヤモンドやCBNを砥粒として使用する必要がありました。しかし、これらは高価であり、製造コストが高騰する一因となっていました。本発明では、これらの問題を解決するため、S iCよりも硬度が低いが非常に安価なアルミニウム等を研磨粒として使用します。これにより、研磨粒のコストを大幅に削減しつつ、S iCの効率的な加工を可能にします。

AIによる特許活用案

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高硬度半導体ウェハの低コスト加工

本特許技術を活用することで、高硬度の半導体ウェハの加工に必要な研磨粒のコストを大幅に削減することが可能です。これにより、製造コストの抑制とともに、製品の価格競争力を向上させることができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-215620
発明の名称: 半導体ウエハの加工装置
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2017-092064
登録番号: 特許第6544688号

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