高精度半導体ウェハの製造を実現する特許技術

学校法人関西学院

兵庫県三田市学園２－１

この技術でできること

SiC基板を使用し、高精度で半導体ウェハを製造するための特許技術について説明します。

相談したいこと

技術の特徴

本特許技術は、SiC基板のC面やSi面にエピタキシャル層を形成し、レーザを照射して互いに交差する複数の溝を形成することで、凸部を形成し、エピタキシャル層を除去する半導体ウェハの製造方法を提案しています。この方法では、高温環境に耐えることができ、機械的強度にも優れる半導体ウェハを製造することが可能です。また、エピタキシャル層の六角形状の頂点同士が接触するように準安定溶媒エピタキシー法が行われるため、高精度な半導体ウェハを得ることができます。これにより、半導体ウェハの製造工程での品質向上とコスト削減を実現することが可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造電子部品製造高性能素材開発

高品質な半導体ウェハの製造

本特許技術を活用することで、従来よりも高品質な半導体ウェハを製造することが可能となります。これにより、製品の性能向上とコスト削減を実現でき、競争力の強化につながります。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2015-220064
発明の名称: 半導体ウエハの製造方法
出願人／権利者: 学校法人関西学院
住所: 兵庫県三田市学園２－１
公開番号: 特開2017-088444
登録番号: 特許第6621304号

登録情報の修正申請