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シリコン量子ドットの新たな活用法、発光材料としての可能性

学校法人法政大学

東京都小金井市梶野町3-7-2

この技術でできること

シリコンを用いた半導体ナノ結晶の活用により、環境に優しい発光材料の開発が可能となります。

技術の特徴

本発明は、化合物系半導体として注目されるシリコンを原料とした半導体ナノ結晶の製造方法について述べています。シリコンは地殻に豊富に存在する元素であり、現在のエレクトロニクス産業に必要不可欠な基盤材料です。しかし、シリコンは発光材料としての利用が難しく、これまでは有害な金属を含む材料が用いられることが多かったのです。本発明は、この問題を解決し、シリコンを活用した環境に優しい発光材料の開発を可能にします。特に、半導体ナノ結晶の粒子サイズや表面修飾を制御することで、発光の効率や色合いを調整できる点が特徴です。これにより、LEDやディスプレイなどの発光デバイスにおける新たな材料としての活用が期待できます。

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現在のLED製造では、カドミウムや鉛など有害な金属を含む材料が使用されることが多いです。しかし、本発明により、シリコンを原料とした半導体ナノ結晶を利用することで、環境に優しいLEDの開発が可能となります。

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号
特願2018-042772
発明の名称
シリコン量子ドットの製造方法
出願人/権利者
学校法人法政大学
住所
東京都小金井市梶野町3-7-2
公開番号
特開2019-156665
登録番号
特許第7108160号
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