高品質SiC単結晶の効率的な製造法

国立大学法人信州大学

長野県松本市旭３丁目１−１

この技術でできること

SiC単結晶の製造方法を改良し、高品質で大型の単結晶を効率的に製造する新技術

相談したいこと

技術の特徴

SiCは次世代のパワー素材として注目されていますが、電子デバイスの材料として使用するためには、高品質のSiCの単結晶が不可欠です。それを実現するための新たな製造方法が本発明です。具体的には、溶剤金属とSiCからなる材料を利用して、溶液法によりSiCの単結晶を製造します。これにより、従来の製造法に比べてSiC単結晶の製造が可能になります。また、本発明ではCrを溶剤金属として使用することで、黒鉛のるつぼから効率的にSiの融液にCを溶解させ、SiCの単結晶を形成することができます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子部品製造業半導体業界新素材開発業界

電子デバイスの材料としての使用

高品質のSiC単結晶は電子デバイスの材料として利用可能です。従来の製造法よりも効率的に製造できるため、コスト削減や生産効率の向上に寄与します。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-193699
発明の名称: ＳｉＣ単結晶の製造方法
出願人／権利者: 国立大学法人信州大学
住所: 長野県松本市旭３丁目１−１
公開番号: 特開2017-065976
登録番号: 特許第6598111号

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