革新的ダイヤモンド半導体デバイスのための新たな製造方法

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

より効率的な電力デバイスの製造を可能にするための、水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法についての特許

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、高性能な電力デバイスの製造に適した水素化ダイヤモンド（H-diamond）MISFETの製造方法について説明しています。特に、ノーマリーオフ動作する水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法を明らかにし、その製造条件を特定化します。この方法は、ゲート酸化物を水素化ダイヤモンド上に形成した後の任意の時点で、一定の温度範囲でアニール（加熱処理）するステップを含みます。これにより、ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドMISFETを効率的に作り出すことが可能となります。この技術は、次世代の電力デバイス製造に大きな影響を与える可能性があります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業電子部品製造業電力供給業

高性能電子デバイスの製造

この特許の技術を活用すれば、高性能な電子デバイスをより効率的に製造することが可能となります。特に、電力デバイスの製造において、この製造方法は製品の性能を大幅に向上させる可能性があります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-174571
発明の名称: ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドＭＩＳＦＥＴの製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2017-050485
登録番号: 特許第6519792号

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