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革新的な偏光可変エミッタ:広帯域Hz放射生成のための最新テクノロジー

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現1-2-1

この技術でできること

この特許は、特定の中心周波数で広帯域Hz放射を生成する偏光可変エミッタのバイアス分布を決定する方法に関するものです。

技術の特徴

本発明は、偏光可変エミッタのバイアス分布を決定する方法に焦点を当てています。特に、特定の中心周波数で広帯域Hz放射を生成するための技術に関するもので、テラヘルツ時間領域分光法(THz-TDS)に関わる領域にも適用可能です。また、直線偏光発光を生成し、検出するための方法も取り扱っています。特許の主な特徴として、光伝導性材料、電極および電極パッドの種類、対向電極の設計、誘電体膜の存在、それらの構成要素に関する詳細な情報が提供されています。これらの要素は、偏光可変エミッタのバイアス分布の最適化に対する包括的なアプローチを提供し、広帯域Hz放射の高効率な生成を可能にします。

関連キーワード

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高効率な広帯域Hz放射の生成

この特許の技術は、特定の中心周波数で広帯域Hz放射を生成するための最新の偏光可変エミッタの設計と最適化を可能にします。これにより、信号伝送やデータ通信の分野でより高い効率とパフォーマンスを実現できます。

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

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権利概要

出願番号
特願2015-169211
発明の名称
偏光可変エミッタのバイアス分布を決定する方法
出願人/権利者
国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所
茨城県つくば市千現1-2-1
公開番号
特開2017-044641
登録番号
特許第6693651号
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