高精細なディスプレイの新たなスイッチング素子、薄膜トランジスタ

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

特性向上を目指した薄膜トランジスタとその製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、半導体層にインジウム、ガリウム、亜鉛などの金属酸化物を用いた薄膜トランジスタおよびその製造方法に関するものです。特に、酸化物の含有量が0より大きく50重量%以下、0より大きく5重量%以下、または0より大きく10重量%以下である薄膜トランジスタが含まれています。さらに、半導体層の形成のための製造方法も提供されており、半導体層が10以上400以下、10以上200以下、または10以上500以下で形成されます。これにより、高精細なディスプレイや大画面のディスプレイのスイッチング素子として好適に用いることが可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 映像技術半導体産業電子機器製造

高品質なディスプレイの製造

本特許の薄膜トランジスタは、高精細なディスプレイや大画面のディスプレイのスイッチング素子として利用可能です。これにより、より高品質なディスプレイの製造が可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2016-213693
発明の名称: 薄膜トランジスタおよびその製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2017-041646
登録番号: 特許第6296463号

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