革新的な製法で生まれたIII族窒化物半導体基板

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

優れた面方位制御で、基板の表面にピットを残さないIII族窒化物半導体基板とその製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、III族窒化物半導体基板およびその製造方法に関して提供します。従来の技術では、単結晶GaN膜の表面（成長面）にピットが残存する問題を抱えていました。本発明では、成長面において土C面が露出した平坦面と、前記平坦面から傾いており、土C面と異なる面方位の非土C面が露出した傾斜面を有するIII族窒化物半導体基板を提供します。この構成により、ピットの存在を抑制し、デバイスの性能にばらつきが生じる問題を解決します。また、本特許では、そのようなIII族窒化物半導体基板の製造方法も開示しています。具体的には、下地基板上に炭素層と炭化物層を形成し、炭化物層を窒化した後、III族窒化物半導体層を形成します。この際、高温で加熱し、下地基板とIII族窒化物半導体層を分離します。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業通信機器製造業

高品質な半導体デバイスの製造

本特許のIII族窒化物半導体基板は、ピットが存在しないため、半導体デバイスの性能にばらつきが生じる問題を解消します。これにより、高品質かつ一貫した性能を持つ半導体デバイスを製造することが可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-157967
発明の名称: ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2017-036174
登録番号: 特許第6652347号

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