結晶品質が良好な半導体基板の製造方法

国立大学法人山口大学

山口県山口市吉田１６７７−１

この技術でできること

ニーズが高まるGaN基板の製造方法について、結晶品質が良好な半導体基板を得るための新たな手法を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、半導体基板の製造方法に革新をもたらすものです。従来のGaN基板の製造方法では、結晶品質が十分でないという課題がありました。本発明では、ベース基板の表面を口径が1-500nmの多数の開口が形成されたシリコン窒化膜の薄膜で被覆し、その表面から低温でGaNの半導体を堆積させることで結晶品質が良好な半導体層を形成します。さらに、その半導体層から高温でGaNの半導体を結晶成長させることで、結晶品質が優れた半導体層を得ることができます。これにより、GaN基板の市場規模が小さいという問題を解決し、より高品質な半導体基板の製造が可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子機器製造業研究開発業

高品質GaN基板の製造

本発明の製造方法を用いて、結晶品質が優れたGaN基板を製造することができます。これにより、高性能な半導体デバイスの製造が可能となり、半導体製造業の競争力を向上させることができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-149146
発明の名称: 半導体基板の製造方法
出願人／権利者: 国立大学法人山口大学
住所: 山口県山口市吉田１６７７−１
公開番号: 特開2017-030984
登録番号: 特許第6694210号

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