高効率な電子制御：水素終端ダイヤモンドによる電界効果トランジスタ

国立大学法人金沢大学

石川県金沢市角間町　金沢大学内

この技術でできること

ダイヤモンドの表面伝導層と強誘電体を利用した高効率電界効果トランジスタの開発

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、水素終端ダイヤモンドの表面伝導層をチャネルとし、強誘電体をゲートとして組み合わせることによって電流制御に有利な電界効果トランジスタを提供します。この強誘電体の強い分極により効率的にキャリアを誘起することが可能で、自発分極によるノーマリーオフ動作の実現が期待されます。具体的な形態例としては、水素終端ダイヤモンドの表面伝導層上にソース及びドレイン電極を形成し、強誘電体の薄膜を積層し、ゲート電極を形成します。強誘電体としては、ダイヤモンドの水素終端表面にこの水素終端構造を破壊することなく積層できるもので、フッ素系の有機薄膜が好ましいとされています。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業高精度計測機器製造業電子部品製造業

高性能半導体の開発

本特許の技術を活用することで、高性能な電界効果トランジスタを開発することが可能です。これにより、電子デバイスの性能向上や消費電力の削減に貢献することが期待されます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-138068
発明の名称: 水素終端ダイヤモンドを用いた電界効果トランジスタ
出願人／権利者: 国立大学法人金沢大学
住所: 石川県金沢市角間町　金沢大学内
公開番号: 特開2017-022240
登録番号: 特許第6534036号

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