非晶質半導体膜の効率的な単結晶化と新たなパターニング方法
国立大学法人島根大学
島根県松江市北陵町２
この技術でできること
半導体レーザを利用した単結晶化方法と新規パターニング方法の提供
相談したいこと
技術の特徴
本特許は、非晶質の半導体膜等の所望箇所を効率的に単結晶化する方法を提供します。これは、半導体レーザ装置からのレーザ光を、ダブプリズムを用いてレーザ光の半分を反転させ、光の進行方向から見て略V字状のビームスポットに形状変更します。これにより、平面的に広がる非卓質ないし微結草の対象素材に対してビームスポットを用いることが可能となります。また、レジストを不要とする新たなパターニング方法も提供します。これらの技術は、特に半導体製造業界やディスプレイ製造業界などで非常に有用です。
関連キーワード
AIによる特許活用案
高性能半導体製造
非晶質の半導体膜を効率的に単結晶化するため、高性能な半導体製品の製造に活用することができます。これにより、製品の性能向上とコスト削減が期待できます。
続きの活用案は会員限定です
無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。
参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。
権利概要
- 出願番号
- 特願2015-135706
- 発明の名称
- 結晶化方法、パターニング方法、および、薄膜トランジスタ作製方法
- 出願人／権利者
- 国立大学法人島根大学
- 住所
- 島根県松江市北陵町２
- 公開番号
- 特開2017-017292
- 登録番号
- 特許第6544090号