深紫外光を放射する半導体発光素子の新たな製造方法

国立研究開発法人情報通信研究機構

東京都小金井市貫井北町４－２－１

この技術でできること

特許JP 6521443 B2は、深紫外光を放射する半導体発光素子の製造方法、及びその素子を備える発光モジュールに関するものである。

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、半導体発光素子から放射される深紫外光の波長を精密に制御する新たな製造方法を提供します。特に、190nm以上350nm、200nm以上320nm、または220nm以上300nm以下の範囲で深紫外光を放射する半導体発光素子の製造について記載しています。さらに、特許では半導体発光素子を収容するパッケージ、反射部材の設置、光吸収係数の計算と調整、及びウェハの分割と加工についても詳述しています。これにより、光取り出し効率の向上が期待できます。

AIによる特許活用案

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次世代照明デバイスの開発

この特許の製造方法を用いて深紫外光を放射する半導体発光素子を製造すれば、新たな照明デバイスやディスプレイ技術の開発に利用できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-130266
発明の名称: 深紫外光を放射する半導体発光素子、該半導体発光素子を備える発光モジュール、及び該半導体発光素子の製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人情報通信研究機構
住所: 東京都小金井市貫井北町４－２－１
公開番号: 特開2017-017110
登録番号: 特許第6521443号

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