高性能ディスプレイの新たなスイッチング素子、多層薄膜トランジスタ

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

本特許では、半導体層に金属酸化物を用いた多層薄膜トランジスタの製造方法について説明されています。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、高精細なディスプレイや大画面のディスプレイのスイッチング素子として利用できる多層薄膜トランジスタの製造方法に関するもので、具体的には半導体層に金属酸化物を用いたものです。金属酸化物半導体層にはIn-Si-O系の金属酸化物を用い、その含有量は0重量%より多く5重量%以下であるターゲットを使用しています。この方法では、基板上に拡散バリア層を設け、その上に半導体層、ソース電極、ドレイン電極を形成します。さらに、これらを覆うように層間絶縁層を形成し、酸素を含む雰囲気で100℃以上200℃以下の熱処理を行います。このステップを3回以上繰り返すことで、3個以上の薄膜トランジスタを形成します。その後、各薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極に向かって伸びる通孔を設け、これに金属を充填して各電極端子を形成します。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子機器製造業半導体製造業ディスプレイ製造業

高性能ディスプレイの開発

本特許の製造方法を用いることで、高精細なディスプレイや大画面のディスプレイのスイッチング素子として使用することができます。これにより、より高品質なディスプレイの開発が可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-126796
発明の名称: 多層構成の薄膜トランジスタの製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2017-011173
登録番号: 特許第6583812号

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