革新的なガリウム酸化物半導体の製造方法

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

高性能な半導体素子の製造を可能にする、ガリウム酸化物単結晶の製造方法を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、ガリウム酸化物単結晶の製造方法に関するものです。具体的には、ハライド気相成長法を用いて基板上にガリウム酸化物を成長させ、さらに特定の元素を含有する原料を用いることで、単結晶を製造します。また、製造過程の温度管理や原料の選択など、高品質な半導体素子の製造を実現するための詳細な条件も提供しています。この方法により製造されたガリウム酸化物単結晶は、その大きなバンドギャップや導電性の付与可能性、高い力学的安定性などの特性から、高耐圧・低消費電力の次世代パワー半導体として利用可能です。

AIによる特許活用案

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次世代パワー半導体の開発

本特許の製造方法を用いれば、高耐圧・低消費電力の次世代パワー半導体を開発することが可能です。これにより、より効率的な電力管理や省エネルギー化を実現する新たなデバイスを開発することが可能になります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-121248
発明の名称: ε－Ｇａ２Ｏ３単結晶、ε－Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2017-007871
登録番号: 特許第6436538号

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