高性能変換装置、光電変換装置の新時代へ

地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター

東京都江東区青海２－４－１０

この技術でできること

4eV以上のバンドギャップを有する半導体を用いた高性能光電変換装置の開発。

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、4eV以上のバンドギャップを有する半導体を用いた光電変換装置の設計に関するものです。この装置は、特に3d遷移金属で構成されています。その特性により、この光電変換装置は、高い効率と安定性を持つことが可能となります。これにより、太陽電池、光センサー、光通信デバイスなどの各種光電変換装置の性能を大幅に向上させることが期待されます。また、この半導体は、理論的にはダイヤモンドと類似の性質を有するとされています。それゆえ、この特許の技術は、光電変換装置の性能向上だけでなく、新たな半導体材料としての可能性も秘めています。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 エネルギー通信エレクトロニクス

高性能太陽電池の開発

この特許の技術を利用して、4 eV以上のバンドギャップを有する半導体を用いた高性能太陽電池を開発する。これにより、現行の太陽電池よりも大幅に効率を向上させることが可能となります。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2015-120886
発明の名称: 光電変換装置
出願人／権利者: 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター
住所: 東京都江東区青海２－４－１０
公開番号: 特開2017-005223
登録番号: 特許第6546791号

登録情報の修正申請