革新的なエネルギー変換ソリューション - 高性能p型半導体薄膜

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

特定の酸化物半導体薄膜を用いた高性能のp型半導体、その製造方法、およびそれを使用した半導体素子、光電変換素子などの開発。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、ベロブスカイト下関連構造を有する特定の酸化物薄膜を使用したp型半導体の製造方法について詳述しています。これらの酸化物薄膜は、その組成が特定の化学式で表され、基板に酸素の存在下で堆積されます。さらに、製造されたp型半導体薄膜は、半導体素子や光電変換素子などの構成要素として使用されます。これにより、太陽電池などの光電変換素子の発電効率を向上させることが可能となります。また、製造方法は熱処理にも対応しており、さらなる効率化が期待できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2015-117010
発明の名称: 酸化物半導体薄膜、半導体素子、光電変換素子、太陽電池、及び酸化物半導体薄膜の製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2017-005091
登録番号: 特許第6587125号

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